Поздравляем
доктора Физ.-мат. Наук Бориса Ганьевича Турухано и кандидата физ.-мат.
Наук Никулину Турухано с присвоением престижной премии. В связи с этим
помещаем статью, в которой сами ученые рассказывают о своей работе. «Точность металлообработки представляет собой достояние страны». Г.Форд(старший) Открытие лазеров и голографии в 1962-64г.г. привело к началу развития нового поколения измерительных систем линейных и угловых перемещений. Измерительными системами линейных и угловых перемещений
(датчиками) 1-ого и 2-ого классов точности, что соответствует от 1-3
мкм/м и 1-3 угл.с., выпускаемыми иностранными фирмами, оснащены практически
все высокоточные станки и обрабатывающие центры в мире. В России выпускались
и выпускаются датчики только 3-ого и
4-ого классов точности. Лаборатория голографических
информационных и измерительных систем ЛГИИС ПИЯФ РАН с 1967 года
разрабатывает голографические линейные и радиальные измерительные системы
нового поколения на базе лазерной техники и голографии. На эти системы
получен в настоящее время 51 патент РФ, а также США, Англии, Великобритании,
Японии, Швейцарии, Франции и др. В 1988г. Правительство СССР издало Постановление №1366,
благодаря которому ЛГИИС ПИЯФ РАН совместно с другими крупными предприятиями
Москвы и Санкт-петербурга должны были оснастить станкоинструментальную
промышленность СССР новыми голографическими датчиками. Однако год 1991,
год перестройки, внес свои коррективы в эти планы. Все предприятия,
кроме института ПИЯФ, отошли от поставленной задачи, и только ПИЯФ остался
верен данным обещаниям. Небольшой коллектив ученных и инженеров нашего
института стал решать непомерно сложные задачи по созданию отечественных
измерительных систем 1-ого класса точности, конкурентоспособных на мировом
рынке. В настоящее
время направление голографических систем линейных и угловых перемещений
в ПИЯФ относится к приоритетным направлениям развития науки и техники
в России. Администрация ПИЯФ поддерживает работы коллектива ЛГИИС по нанотехнологиям, включив их в программу приоритетных
направлений института.
Турухано Б.Г.
Заслуженный изобретатель РФ
Доктор физ.-мат. наук |
||||||